联系我们CONTACT
- 联系人：吕经理
- 电 话：18186132299（微信同号）
- 手 机：18186132299
- 传 真：18186132299
- 邮 箱：489527785@qq.com
- 地 址：东湖新技术开发区关山二路特1号
|
 |
 |
 |
 |
 |
碲化镓丨12024-14-5
- 品牌：浩荣生物
- 产地：湖北武汉
- cas：12024-14-5
- 价格： ￥50/千克
- 发布日期： 2022-05-11
- 更新日期： 2024-04-25
产品详请
| 品牌 | 浩荣生物 |
| EINECS编号 | 234-690-1 |
| 英文名称 | GALLIUM TELLURIDE |
| CAS编号 | 12024-14-5 |
| 纯度 | 99% |
| 别名 | 碲化镓(II) |
| 分子式 | GaTe |
| 产地/厂商 | 湖北武汉 |
中文名称:碲化镓(II)
中文别名:碲化镓
CAS No:12024-14-5
EINECS号：234-690-1
分子式:GaH3Te
沸点:°Cat760mmHg
闪光点:°C
密度:5.440
用途:碲化镓（GaTe）中阳离子空位对晶体管性能的影响机制，并且通过抑制这种作用，获得了一种高性能的光电晶体管器件。GaTe是一个重要的III-VI族半导体层状化合物材料，直接带隙约1.7eV，在光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域极具应用研究价值。然而由于其复杂的单斜晶体结构及晶体的高度各向异性，使其在样品制备及器件加..
安全说明:safetyDesc
中文别名:碲化镓
CAS No:12024-14-5
EINECS号：234-690-1
分子式:GaH3Te
沸点:°Cat760mmHg
闪光点:°C
密度:5.440
用途:碲化镓（GaTe）中阳离子空位对晶体管性能的影响机制，并且通过抑制这种作用，获得了一种高性能的光电晶体管器件。GaTe是一个重要的III-VI族半导体层状化合物材料，直接带隙约1.7eV，在光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域极具应用研究价值。然而由于其复杂的单斜晶体结构及晶体的高度各向异性，使其在样品制备及器件加..
安全说明:safetyDesc
